Tre cose da sapere
Dal canale Youtube Nano@Tech - Il video presenta il lavoro di Spyridon "Spyros" Pavlidis, professore associato nel Dipartimento di Ingegneria Elettrica e Informatica presso la North Carolina State University. Pavlidis si concentra sulla sviluppo di dispositivi a base di nitruri di gallio (GaN), un materiale con proprietà che lo rendono adatto per i dispositivi di potenza. Il suo gruppo di ricerca si concentra sulla creazione di dispositivi verticali a GaN utilizzando tecniche di doping a selezione di area, che consentono di controllare la concentrazione di drogaggio in diverse parti del dispositivo. In particolare, Pavlidis presenta due dispositivi: un dispositivo a giunzione superiore laterale a polarità laterale e un diodo a barriera Schottky con impianto e kneading ad alta pressione. Pavlidis sottolinea anche l'importanza di ingegnerizzare le diverse parti dei dispositivi per migliorare le loro prestazioni e la loro affidabilità. Il suo lavoro ha importanti implicazioni per l'efficienza e la sostenibilità dei sistemi di alimentazione moderni.
La ricerca sui dispositivi a base di nitruri di gallio per l'efficienza energetica sta portando a importanti innovazioni nel settore elettronico. Grazie al nitruro di gallio, i dispositivi ad alta frequenza per applicazioni senza fili sono già disponibili sul mercato. Inoltre, il nitruro di gallio è perfetto per la tecnologia 5G, poiché gli amplificatori della stazione base lo utilizzano. Anche se i transistor al nitruro di gallio sono più costosi di quelli a base di silicio, offrono una maggiore efficienza energetica a potenze più elevate.
La collaborazione tra aziende sta portando allo sviluppo di soluzioni a base di nitruro di gallio che migliorano l'efficienza delle tecnologie. In particolare, ST e Tsmc stanno lavorando insieme per accelerare lo sviluppo e la fornitura sul mercato di soluzioni di potenza avanzate basate sul nitruro di gallio. Questa collaborazione è importante per garantire la massima efficienza energetica dei dispositivi elettronici.
Il nitruro di gallio è un materiale semiconduttore a bandgap ampio che offre straordinarie qualità per le applicazioni ad alta frequenza. Tra queste qualità figurano la maggiore efficienza energetica a potenze più elevate e la maggiore mobilità degli elettroni. Inoltre, il nitruro di gallio presenta una tensione di breakdown più elevata rispetto ad altri materiali semiconduttori, il che lo rende ideale per le applicazioni ad alta potenza.
La ricerca scientifica si sta concentrando sui materiali innovativi che possono sostituire il silicio nei sistemi per la conversione dell'energia. Secondo una ricerca recente dell'Università di Harvard, l'uso del nitruro di gallio al posto del silicio può portare a consumi elettrici più bassi. Inoltre, il nitruro di gallio è un componente base dei transistor ad alta potenza che offrono maggiore efficienza energetica e dimensioni più piccole dei componenti elettronici.